杨昆

　　杨昆，男，博士研究生，高级工程师。2015年由山东大学晶体材料研究所博士毕业后，入职河北同光晶体有限公司，任总工程师，主要从事第三代半导体SiC单晶的生长技术研发及生产工艺改进工作。

　　入职河北同光晶体有限公司后，带领技术团队先后突破了‘高纯度SiC多晶原料合成’、‘4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶制备’、‘6英寸高纯半绝缘SiC单晶制备’、‘低位错密度6英寸导电型SiC单晶制备’等多项关键技术，并荣获保定市高新区‘科技创新英才’、保定市‘科技突出贡献奖’、河北省‘中小型企业创新英才’，入选河北省‘三三三人才工程’第二层级。 

　　由于优异的理化性质，高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底是制备高功率密度功率微波器件的关键材料，是新一代雷达、5G通讯、卫星通讯等领域的核心材料。由于其重大的应用价值，欧美国家对中国实行严格的产品禁运和技术封锁。在2015年入职同光后，即带领团队开展高纯半绝缘单晶的研发工作。高纯度SiC多晶原料是制备高纯半绝缘SiC单晶的基础原料，在工作开展初期，市场上所销售的SiC多晶原料价格昂贵且纯度不佳，候选人带领技术团队经过上百炉次的实验，不断分析杂质来源及杂质消除规律，突破了高纯SiC多晶原料合成技术，所制备SiC多晶原料中氮、硼、铝等浅能级杂质浓度均低于5E15cm-3，显著优于同期国外在售同类产品，且制备成本不足国外多晶原料售价的20%。在高纯度多晶原料的基础上，候选人及其团队通过不懈努力先后解决了4H晶型控制、本征点缺陷引入等技术难题，突破了4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶制备的关键技术，于2019年实现了微管密度小于0.2cm-2，全片电阻率大于1011Ω·cm的高质量4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的量产，为公司带来超2亿元的营业收入。实现4寸高纯半绝缘衬底量产后，为降低后续器件制备成本，被推荐人带领团队开始6英寸高纯半绝缘衬底攻关，于2021年实现6英寸高纯半绝缘衬底量产。 

　　被推荐人及其团队完成了高纯半绝缘4H-SiC衬底的国产化，使我国实现了该核心半导体材料的自主可控，打破了国外封锁，破解了相关产业的发展瓶颈。